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MAX9985
Dual, SiGe, High-Linearity, 700MHz to 1000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Using the Typical Application Circuit, V CC = 5.0V, P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, f RF > f LO , f IF = 100MHz, T C = +25°C, unless other-
wise noted.)
-20
-30
-40
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
T C = +25 ° C
T C = -30 ° C
-20
-30
-40
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
-30
-40
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-50
T C = +85 ° C
-50
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
-60
-60
-60
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
-10
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
LO FREQUENCY (MHz)
2LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
-30
T C = +25 ° C
-20
-30
P LO = 0dBm
-20
-30
T C = +85 ° C
P LO = -3dBm
-40
-40
-40
-50
-60
T C = -30 ° C
-50
-60
P LO = +3dBm
-50
-60
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
50
45
40
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
T C = -30 ° C
T C = +85 ° C
50
45
40
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
P LO = -3dBm, 0dBm, 3dBm
50
45
40
LO FREQUENCY (MHz)
LO SWITCH ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
35
30
T C = +25 ° C
35
30
35
30
600
700
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900
1000
1100
1200
600
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1100
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600
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800
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1000
1100
1200
8
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
Maxim Integrated
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